Тезис

This document describes the method of determining the etch pit density, which is used to detect the dislocations and processing-introduced defects that occur on single-crystal GaN substrates or single-crystal GaN films. It is applicable to the defects specified in AWI 5618-1 from among the defects cropped out on the surface of the following types of GaN substrates or films: single-crystal GaN substrate; single-crystal GaN film formed by homoepitaxial growth on a single-crystal GaN substrate; or single-crystal GaN film formed by heteroepitaxial growth on a single-crystal Al2O3, SiC, or Si substrate. It is applicable to defects with an etch pit density of 7 × 107 cm-2 or lower.


Общая информация 

  • Текущий статус
     :  Under development
  • Версия
     : 1
  • Технический комитет
     : ISO/TC 206 Fine ceramics
  • ICS
     :
    81.060.30 Advanced ceramics

Цели в области устойчивого развития

Данный стандарт разработан для достижения следующих Цели в области устойчивого развития:

7
Недорогостоящая и чистая энергия
9
Индустриализация, инновации и инфраструктура
11
Устойчивые города и населенные пункты
13
Борьба с изменением климата

Жизненный цикл


Появились вопросы?

Ознакомьтесь с FAQ

Работа с клиентами
+41 22 749 08 88

Часы работы:
Понедельник – пятница: 09:00-12:00, 14:00-17:00 (UTC+1)

Будьте в курсе актуальных новостей ИСО

Подписывайтесь на наши новости, обзоры, а также на информацию о продуктах.

  2. Интернет-магазин
  3. Каталог стандартов
  4. ТК
  5. ISO/TC 206
  6. ISO/CD 5618-2